它並不是活的，且甚至沒有接近大腦複雜度的結構，但是研究人員發現，一種稱作二氧化釩（vanadium dioxide，VO2）的化合物能夠「記得」過去的外部刺激。
這是第一次，在一種材料中辨識出這種能力，但這可能不會是最後一個。這項發現可能會對電子設備的研發，具有相當有趣的意涵，尤其是在資料處理以及儲存方面。
由瑞士洛桑聯邦理工學院（École Polytechnique Fédérale de Lausanne，EPFL）的電機工程師穆罕默德·薩米查德·尼可博士（Mohammad Samizadeh Nikoo）所領導的研究員團隊寫到：「在此，我們報導了，在 VO2 當中有電子上可取得的長存結構狀態，可以提供資料儲存與處理上的方案。」
他說：「這些像玻璃的功能性設備，在速度、能量消耗、及小型化方面，都可能能勝過典型的金屬氧化物半導體電子產品，且能夠提供仿神經型態電腦（neuromorphic computation）與多值記憶體（multilevel memories）的一條路徑。」
VO2 是一種近年來被建議用來作為矽的替代或是補體的材料，用來作為電子設備的基礎，這是因為它具有勝過矽作為半導體材料的潛力。
VO2 最有趣的性質之一是，在攝氏 68 度之下，它表現如同絕緣體，但是在那個臨界溫度之上的話，它會很突然地轉變為金屬，具有良好導電性。這個轉變稱作金屬-絕緣體轉換（metal-insulator transition）。
一直到最近 2018 年，科學家才發現為什麼。隨著溫度上升，原子排列在晶格中的方式發生了變化。當溫度掉回去時，這個材料會恢復成原本的絕緣體狀態。薩米查德·尼可博士一開始目標是要調查 VO2 需要花多少時間從絕緣體轉換成金屬，反之亦然。
他從觸動開關時開始進行量測。就是這些量測數據揭開了某些非常奇異的東西。雖然它回到了相同的起始狀態，VO2 卻表現得彷彿是它記得最近的活動。
實驗包括了從一端到另外一端，從一條精確的路徑，將電流導入至該材料當中。這個電流加熱了 VO2，導致它改變其狀態，也就是先前提到的原子結構重新排列。當移除電流時，原子結構再次鬆弛。當再度施加電流時，事情變得有趣了。
EPFL 的電機工程師艾里森·馬蒂歐里教授（Elison Matioli）解釋：「VO2 似乎會『記得』第一次的相變化，並期待著下一次。我們並未預期見到這種記憶效果，且這與材料的電狀態無關，而是與材料的物理結構有關。這是一項嶄新發現，沒有其他材料如此表現。」
馬蒂歐里教授說：「團隊的研究顯示說，VO2 會儲存關於最近施加電流的某種訊息達至少三小時。事實上，時間可能更長，但我們目前沒有所須的儀器來量測。」
這個開關令人聯想到大腦中神經元的行為：它們同時作為記憶與處理器的單元。被描述為仿神經型態科技的、根據類似系統所產生的電腦可能會有超過傳統晶片與電路板的優勢。
因為這種雙重特性是 VO2 與生俱來的，因此它似乎符合記憶體設備的所有夢想清單：具有高容量的、高速度、及規模化的潛力。除此之外，其性質給予它在記憶體設備的優勢，這些設備是以受電狀態控制的二進位格式，對資料進行編碼。
研究人員寫到：「我們已報導了，在 VO2 中有玻璃般的動力學，可以在次奈秒的時間尺度下被激發，且在數個數量級的時間下被監控，從幾個微秒到數小時。因此，對於電子產品持續在縮小尺寸、快速運作、以及降低電壓供給程度的要求方面，我們的功能性設備預期可以符合這些持續的要求。」
