如何提升記憶體的儲存容量，是記憶體產業永不變的目標，如今，這項進展又有了新突破。根據外國媒體 Tech Explorist 報導，南韓 UNIST 能源與化學工程學院教授 Jun Hee Lee 與研究團隊發現了一種新的物理現象，有望將記憶體晶片的儲存容量提升 1,000 倍；目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體（FRAM）。
FRAM 透過所謂的極化現象（Polarization）儲存訊息，優點在於速度更快、功耗更低，甚至電源關閉後仍能保留儲存的資料；而目前對 FRAM 的技術研究，多集中在減小鐵電域（Ferroelectric Domains）大小同時還能保持存儲容量；因鐵電域形成（發生自發極化的微小區域）至少需要成千上萬個原子。
而報導指出，Lee 與其帶領的 UNIST 團隊，發現透過添加一滴電荷到稱為鐵電氧化 Ha（HfO2）的半導體材料，可控制 4 個單獨的原子儲存 1 位數據；經適當應用後，記憶體儲存容量可達每平方公分 500Tbit，是目前快閃記憶體的 1,000 倍。
Lee 表示，此技術將有助於加速記憶體縮小，且透過這種技術，有望將記憶體儲存容量擴大1,000 倍，同時也有助於研發低成本的 FRAM 或鐵電場效電晶體（Ferroelectric Field-effect Transistor，FeFET）。
